Учебно-методическое пособие (сборник задач) по курсу "Физико-химические основы конструирования электронных средств" часть 1 "Физические основы микро - и наноэлектроники" для студ.направления 11.03.03 "Конструирование и технол.электронных средств" всех форм обучения / НГТУ им.Р.Е.Алексеева, Каф."Компьютерные технол.в проектировании и пр-ве"; Сост.:В.Д.Садков, А.А.Штернов. - Н.Новгород : [Изд-во НГТУ], 2019. - 36 с. - Прил.:с.31-36. - 0-00.

Шифры: 621.38 - У 91

Экземпляры: Всего: 10, из них: общ-3, чз-5, чз6-2

Определение ширины запрещенной зоны полупроводника : Метод.указания к лаб.работам № 3-2а и 3-2б по дисциплине "Физика" для студ.направления 15.03.02(151000) - "Технол.машины и оборуд." / НГТУ им.Р.Е.Алексеева, Дзерж.политехн.ин-т (фил.), Каф."Физика и электротехника"; Сост.А.Н.Сахаров. - Н.Новгород : [Б.и.], 2015. - 13 с. : ил. - Библиогр.:с.13. - 0-00.

Шифры: 537 - О-62

Экземпляры: Всего: 7, из них: чз-5, чз6-2

Нагаев Э.Л.
Избранные труды / Э.Л. Нагаев. - М. : Физматлит, 2004. - 320 с. : ил. - ISBN 5-9221-0458-6 : 150-00.

Авторы: Нагаев Э.Л.

Шифры: 537 - Н 16

Экземпляры: Всего: 1, из них: нтл-1

Васильев А.В.
Дефектно-примесные реакции в полупроводниках / А.В. Васильев, А.И. Баранов ; РАН.Сиб.отд-ние.Ин-т физики полупроводников; Отв.ред.В.Н.Овсюк. - Новосибирск : Изд-во СО РАН, 2001. - 256 с. : ил. - Библиогр.в конце разд. - ISBN 5-7692-0428-1 : 0-00.

Авторы: Васильев А.В., Баранов А.И.

Шифры: 537 - В 19

Экземпляры: Всего: 1, из них: нтл-1

Русско-английский словарь и фразеология новых разделов физики полупроводников / Е.В. Владимирская [и др.] ; Под общ.ред.В.И.Ильина, А.Я.Шика. - СПб. : Наука, 2000. - 108 с. - (Новые разделы физики полупроводников). - Прил.:с.101-105. - Библиогр.:с.106. - ISBN 5-02-026137-8 : 25-00.

Авторы: Владимирская Е.В., Гасумянц В.Э., Ильин В.И., Макарова Т.Л.

Шифры: 4И(А)(03) - Р 89

Экземпляры: Всего: 9, из них: аб-3, нтл-3, общ2-1, чз-2

Крапухин В.В.
Технология материалов электронной техники. Теория процессов полупроводниковой технологии : Учебник для вузов / В.В. Крапухин, И.А. Соколов, Г.Д. Кузнецов. - 2-е изд.,перераб.и доп. - М. : Изд-во МИСИС, 1995. - 493 с. - Рек.список:с.490-492. - ISBN 5-87623-004-9 : 4500-00.

Авторы: Крапухин В.В., Соколов И.А., Кузнецов Г.Д.

Шифры: 621.38(075) - К 77

Экземпляры: Всего: 4, из них: нтл-1, чз-3

Дисциплина: Автоматизация проектирования электронных устройств, Компоненты наноэлектроники

Электронные явления СВЧ диапазона в неоднородных полупроводниковых структурах / Н.Н. Белецкий [и др.] ; АН УССР, Ин-т радиофизики и электроники; Отв.ред.Ф.Г.Басс. - Киев : Наук.думка, 1991. - 215 с. : ил. - Библиогр.:с.200-216. - ISBN 5-12-001306-6 : 3-30.

Авторы: Белецкий Н.Н., Светличный В.М., Халамейда Д.Д., Яковенко В.М.

Шифры: 537 - Э 45

Экземпляры: Всего: 1, из них: нтл-1

Шёлль Э.
Самоорганизация в полупроводниках: Неравновесные фазовые переходы в полупроводниках, обусловленные генерационно-рекомбинационными процессами : Пер.с англ. / Э. Шёлль. - М. : Мир, 1991. - 464 с. : ил. - Библиогр.:с.412-457. - 8-30.

Авторы: Шёлль Э.

Шифры: 537 - Ш 44

Экземпляры: Всего: 1, из них: нтл-1

Бонч-Бруевич В.Л.
Физика полупроводников : Учеб.пособие для вузов / В.Л. Бонч-Бруевич, С.Г. Калашников. - М. : Наука.Гл.ред.физ.-мат.лит., 1990. - 688 с. : ил. - Прил.:с.653-676. - Библиогр.:с.677-681. - ISBN 5-02-014032-5 : 2-00.

Авторы: Бонч-Бруевич В.Л., Калашников С.Г.

Шифры: 537(075) - Б 81

Экземпляры: Всего: 6, из них: нтл-3, общ2-2, чз-1

Дисциплина: Физика (ФТОС)

Таиров Ю.М.
Технология полупроводниковых и диэлектрических материалов : Учебник для вузов по спец."Физика и технол.материалов и компонентов электронной техники", "Микроэлектроника и полупроводниковые приборы" / Ю.М. Таиров, В.Ф. Цветков. - 2-е изд.,перераб.и доп. - М. : Высш.шк., 1990. - 423 с. : ил. - Библиогр.:с.418. - ISBN 5-06-001032-5 : 1-30.

Авторы: Таиров Ю.М., Цветков В.Ф.

Шифры: 621.3(075) - Т 14

Экземпляры: Всего: 15, из них: аб-7, нтл-4, общ2-2, чз-2

Барейкис В.
Флуктуационные явления в полупроводниках в неравновесных условиях / В. Барейкис, Р. Катилюс, Р. Милюшите ; АН ЛитССР, Ин-т физики полупроводников; Под ред.Ю.Пожелы. - Вильнюс : Мокслас, 1989. - 220 с. : ил. - (Электроны в полупроводниках. Вып.8). - Библиогр.:с.203-213. - 3-40.

Авторы: Барейкис В., Катилюс Р., Милюшите Р.

Шифры: 537 - Б 24

Экземпляры: Всего: 2, из них: нтл-2

Херман М.А.
Полупроводниковые сверхрешетки : Пер.с англ. / М.А. Херман. - М. : Мир, 1989. - 238 с. : ил. - Доп.тит.л.на англ.яз. - Библиогр.в конце гл. - ISBN 5-03-001015-7 : 2-60.

Авторы: Херман М.А.

Шифры: 53 - Х 39

Экземпляры: Всего: 2, из них: нтл-1, общ-1

Поликристаллические полупроводники. Физические свойства и применения : Пер.с англ. / А. Бурре [и др.] ; Под ред.Г.Харбеке. - М. : Мир, 1989. - 341 с. : ил. - Библиогр.в конце части. - ISBN 5-03-001211-7 : 3-70.

Авторы: Бурре А., Мёллер Х., Зингер Х., Понд Р., Окутюрье М.

Шифры: 537 - П 50

Экземпляры: Всего: 1, из них: нтл-1

Басс Ф.Г.
Высокочастотные свойства полупроводников со сверхрешетками / Ф.Г. Басс, А.А. Булгаков, А.П. Тетервов. - М. : Наука.Гл.ред.физ.-мат.лит., 1989. - 288 с. - (Физика полупроводников и полупроводниковых приборов). - Библиогр.:с.281-287. - 4-30.

Авторы: Басс Ф.Г., Булгаков А.А., Тетервов А.П.

Шифры: 539 - Б 27

Экземпляры: Всего: 1, из них: нтл-1

Кроткус А.Й.
Электропроводность узкощелевых полупроводников / А.Й. Кроткус, З.П. Добровольскис ; АН ЛитССР, Ин-т физики полупроводников; Под ред.Ю.Пожелы. - Вильнюс : Мокслас, 1988. - 173 с. : ил. - (Электроны в полупроводниках. Вып.7). - Библиогр.:с.156-167. - ISBN 5-420-00194-2 : 2-70.

Авторы: Кроткус А.Й., Добровольскис З.П.

Шифры: 537 - К 83

Экземпляры: Всего: 1, из них: нтл-1

Процессы роста полупроводниковых кристаллов и пленок : Сборник науч.тр. / СО АН СССР, Ин-т неорганической химии; Отв.ред.Ф.А.Кузнецов. - Новосибирск : Наука.Сиб.отд-ние, 1988. - 198 с. : ил. - Библиогр.в конце ст. - ISBN 5-02-028671-0 : 3-40.

Шифры: 621.3 - П 84

Экземпляры: Всего: 2, из них: нтл-2

Бамбуров В.Г.
Введение в физико-химию ферромагнитных полупроводников / В.Г. Бамбуров, А.С. Борухович, А.А. Самохвалов. - М. : Металлургия, 1988. - 206 с. : ил. - Библиогр.:с.199-206. - 2-10.

Авторы: Бамбуров В.Г., Борухович А.С., Самохвалов А.А.

Шифры: 537 - Б 22

Экземпляры: Всего: 1, из них: нтл-1

Арсенид галлия в микроэлектронике : Пер.с англ. / Под ред.Н.Айнспрука, У.Уиссмена. - М. : Мир, 1988. - 555 с. : ил. - Библиогр.в конце гл. - 176-00.

Шифры: 621.3 - А 85

Экземпляры: Всего: 1, из них: нтл-1

Электронная структура и оптические спектры полупроводников / Р. Дагис [и др.] ; АН ЛитССР, Ин-т физики полупроводников; Под ред.Ю.Пожелы. - Вильнюс : Мокслас, 1987. - 224 с. : ил. - (Электроны в полупроводниках. 6). - Библиогр.в конце гл. - 2-90.

Авторы: Дагис Р. , Бабонас Г., Каваляускас Ю., Кривайте Г., Шилейка А.

Шифры: 537 - Э 45

Экземпляры: Всего: 1, из них: нтл-1

Эпштейн Э.М.
Фотостимулированные процессы в полупроводниках / Э.М. Эпштейн, Г.М. Шмелев, Г.И. Цуркан ; Кишиневский гос.ун-т им.В.И.Ленина; Под ред.Ю.Е.Перлина. - Кишинев : Штиинца, 1987. - 168 с. - Библиогр.:с.147-165. - 1-70.

Авторы: Эпштейн Э.М., Шмелев Г.М., Цуркан Г.И.

Шифры: 621.3 - Э 73

Экземпляры: Всего: 1, из них: нтл-1